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国際特許分類カテゴリ H01L

H01L 21/00 : 半導体装置 固体装置 それらの部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2,8]

H01L 23/00 : 半導体 他の固体装置の細部[2,5]

H01L 25/00 : 複数の個々の半導体 他の固体装置からなる組立体[2,5]

H01L 27/00 : 1つの共通基板内 上に形成された複数の半導体構成部品 他の固体構成部品からなる装置[2,8]

  • H01L 27/00 : 1つの共通基板内 上に形成された複数の半導体構成部品 他の固体構成部品からなる装置[2,8]
  • H01L 27/01 : ・1つの共通絶縁基板上に形成された薄膜 厚膜受動素子のみからなるもの[3]
  • H01L 27/02 : ・整流,発振,増幅 スイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有するもの 少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの[2]
  • H01L 27/04 : ・・基板が半導体本体であるもの[2](6)
  • H01L 27/06 : ・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの[2]
  • H01L 27/07 : ・・・・構成部品が共通の活性領域をもつもの[5]
  • H01L 27/08 : ・・・1種類の半導体構成部品だけを含むもの[2]
  • H01L 27/82 : ・・・・バイポーラ構成部品のみを含むもの[5]
  • H01L 27/85 : ・・・・電界効果構成部品のみを含むもの[5]
  • H01L 27/88 : ・・・・・構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの[5]
  • H01L 27/92 : ・・・・・・相補型MIS電界効果トランジスタ[5]
  • H01L 27/95 : ・・・・・構成部品がショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタであるもの[5]
  • H01L 27/98 : ・・・・・構成部品がPN接合ゲート電界効果トランジスタであるもの[5]
  • H01L 27/10 : ・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの[2]
  • H01L 27/102 : ・・・・バイポーラ構成部品を含むもの[5]
  • H01L 27/105 : ・・・・電界効果構成部品を含むもの[5]
  • H01L 27/108 : ・・・・・ダイナミックランダムアクセスメモリ構造[5]
  • H01L 27/11 : ・・・・・スタティックランダムアクセスメモリ構造[5]
  • H01L 27/112 : ・・・・・リードオンリーメモリ構造[5]
  • H01L 27/115 : ・・・・・・電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ[5]
  • H01L 27/118 : ・・・・マスタースライス集積回路[5]
  • H01L 27/12 : ・・基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体[2]
  • H01L 27/13 : ・・・薄膜 厚膜受動構成部品と組合せたもの[3]
  • H01L 27/14 : ・赤外線,可視光,短波長の電磁波 粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの[2](22)
  • H01L 27/142 : ・・エネルギー変換装置[5]
  • H01L 27/144 : ・・輻射線によって制御される装置[5]
  • H01L 27/146 : ・・・固体撮像装置構造[5](1)
  • H01L 27/148 : ・・・・電荷結合型固体撮像装置[5]
  • H01L 27/15 : ・少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有し,光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの[2]
  • H01L 27/16 : ・異種材料の接合を有する熱電構成部品 それを有しない熱電構成部品を含むもの 熱磁気構成部品を含むもの[2]
  • H01L 27/18 : ・超電導を示す構成部品を含むもの[2]
  • H01L 27/20 : ・圧電構成部品を含むもの 電歪構成部品を含むもの 磁歪構成部品を含むもの[2,7]
  • H01L 27/22 : ・電流磁気効果,例.ホール効果,を利用した構成部品を含むもの 同様な磁界効果を利用するもの[2]
  • H01L 27/24 : ・整流,増幅,スイッチングをする固体構成部品で,電位障壁 表面障壁を有しないものを含む。[2]
  • H01L 27/26 : ・バルク負性抵抗効果構成部品を含むもの[2]
  • H01L 27/28 : ・能動部分として有機材料を用い, 能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの[8]
  • H01L 27/30 : ・・赤外線,可視光,短波長の電磁波, 粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの 輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか, これらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの[8]
  • H01L 27/32 : ・・光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ[8](7)

H01L 29/00 : 整流,増幅,発振 スイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有するもの 少なくとも1つの電位障壁 表面障壁,例.PN接合空乏層 キャリア集中層,を有するコンデンサー 抵抗器 半導体本体 電極の細部[2,6]

  • H01L 29/00 : 整流,増幅,発振 スイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有するもの 少なくとも1つの電位障壁 表面障壁,例.PN接合空乏層 キャリア集中層,を有するコンデンサー 抵抗器 半導体本体 電極の細部[2,6]
  • H01L 29/02 : ・半導体本体[2]
  • H01L 29/04 : ・・半導体本体の結晶構造,例.多結晶,立方晶系,特定な結晶面の方向,に特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/06 : ・・半導体本体の形状に特徴のあるもの 半導体領域の形状,相対的な大きさ 配列に特徴のあるもの[2](2)
  • H01L 29/08 : ・・・整流,増幅, スイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって,その電極が3つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの[2]
  • H01L 29/10 : ・・・整流,増幅, スイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって,その電極が3つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの[2]
  • H01L 29/12 : ・・構成材料に特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/15 : ・・・周期的 準周期的なポテンシャル変化を持つ構造,例.多重量子井戸,超格子[6]
  • H01L 29/16 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にして,非結合型周期律表の第IV族元素のみを含むもの[2]
  • H01L 29/161 : ・・・・29/16に分類されている元素のうち2つ以上を含むもの[2]
  • H01L 29/165 : ・・・・・異なった半導体領域にあるもの[2]
  • H01L 29/167 : ・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/18 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にしてSe Teのみを含むもの[2]
  • H01L 29/20 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にして,A↓I↓I↓IB↓V化合物のみを含むもの[2,6]
  • H01L 29/201 : ・・・・2つ以上の化合物を含むもの[2]
  • H01L 29/205 : ・・・・・異なった半導体領域にあるもの[2]
  • H01L 29/207 : ・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/22 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にして,A↓I↓IB↓V↓I化合物のみを含むもの[2]
  • H01L 29/221 : ・・・・2つ以上の化合物を含むもの[2]
  • H01L 29/225 : ・・・・・異なった半導体領域にあるもの[2]
  • H01L 29/227 : ・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/24 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にして,29/16,29/18,29/20,29/22に分類されない無機半導体材料のみを含むもの[2]
  • H01L 29/26 : ・・・ドーピング材料 他の不純物は別にして,29/16,29/18,29/20,29/22,29/24のグループの2つ以上に分類されている元素を含むもの[2]
  • H01L 29/267 : ・・・・異なった半導体領域にあるもの[2]
  • H01L 29/30 : ・・物理的不完全性に特徴のあるもの 研磨された表面又はあらされた表面を持つもの[2]
  • H01L 29/32 : ・・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの[2]
  • H01L 29/34 : ・・・不完全性が表面にあるもの[2]
  • H01L 29/36 : ・・不純物の濃度又は分布に特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/38 : ・・29/04,29/06,29/12,29/30,29/36のグループのうち2つ以上に分類されている特徴の結合に特徴のあるもの[2]
  • H01L 29/40 : ・電極[2]
  • H01L 29/41 : ・・その形状,相対的大きさ 配置に特徴のあるもの[6](2)
  • H01L 29/417 : ・・・整流,増幅 スイッチされる電流を流すもの[6](1)
  • H01L 29/423 : ・・・整流,増幅 スイッチされる電流を流さないもの[6](1)
  • H01L 29/43 : ・・構成材料に特徴のあるもの[6]
  • H01L 29/45 : ・・・オーミック電極[6]
  • H01L 29/47 : ・・・ショットキー障壁電極[6](7)
  • H01L 29/49 : ・・・金属−絶縁半導体電極[6]
  • H01L 29/51 : ・・・・それと結合する絶縁材料[6]
  • H01L 29/66 : ・半導体装置の型[2]
  • H01L 29/68 : ・・整流,増幅 スイッチされる電流を流さない電極に電流のみ 電位のみを与えることにより制御できるもの[2]
  • H01L 29/70 : ・・・バイポーラ装置[2]
  • H01L 29/72 : ・・・・トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの[2]
  • H01L 29/73 : ・・・・・バイポーラ接合トランジスタ[5](2)
  • H01L 29/732 : ・・・・・・縦型トランジスタ[6]
  • H01L 29/735 : ・・・・・・横型トランジスタ[6]
  • H01L 29/737 : ・・・・・・ヘテロ接合トランジスタ[6]
  • H01L 29/739 : ・・・・・電界効果により制御されるもの[6](2)
  • H01L 29/74 : ・・・・サイリスタ型装置,例.4層再生作用をもつもの[2]
  • H01L 29/744 : ・・・・・ゲートターンオフサイリスタ[6]
  • H01L 29/745 : ・・・・・・電界効果によりターンオフするもの[6]
  • H01L 29/747 : ・・・・・双方向サイリスタ,例.トライアック[2]
  • H01L 29/749 : ・・・・・電界効果によりターンオンするもの[6]
  • H01L 29/76 : ・・・ユニポーラ装置[2]
  • H01L 29/762 : ・・・・電荷転送装置[6]
  • H01L 29/765 : ・・・・・電荷結合装置[6]
  • H01L 29/768 : ・・・・・・絶縁ゲートにより生ずる電界効果をもつもの[6]
  • H01L 29/772 : ・・・・電界効果トランジスタ[6]
  • H01L 29/775 : ・・・・・一次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.量子線FET[6]
  • H01L 29/778 : ・・・・・二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT[6](3)
  • H01L 29/78 : ・・・・・絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの[2](6)
  • H01L 29/786 : ・・・・・・薄膜トランジスタ[6](6)
  • H01L 29/788 : ・・・・・・浮遊ゲートを有するもの[5]
  • H01L 29/792 : ・・・・・・電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの[5]
  • H01L 29/80 : ・・・・・PN接合ゲート 他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの[2]
  • H01L 29/808 : ・・・・・・PN接合ゲートを有するもの[5]
  • H01L 29/812 : ・・・・・・ショットキーゲートを有するもの[5](3)
  • H01L 29/82 : ・・装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの[2,6]
  • H01L 29/84 : ・・外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの[2,6](4)
  • H01L 29/86 : ・・整流,増幅,発振 スイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流 電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの[2]
  • H01L 29/8605 : ・・・PN接合をもつ抵抗器[6]
  • H01L 29/861 : ・・・ダイオード[6](4)
  • H01L 29/862 : ・・・・点接触ダイオード[6]
  • H01L 29/864 : ・・・・トランジットタイムダイオード,例.IMPATT,TRAPATTダイオード[6]
  • H01L 29/866 : ・・・・ツェナーダイオード[6]
  • H01L 29/868 : ・・・・PINダイオード[6](1)
  • H01L 29/87 : ・・・・サイリスタダイオード,例.ショックレーダイオード,ブレイクオーバーダイオード[6]
  • H01L 29/872 : ・・・・ショットキーダイオード[6](7)
  • H01L 29/88 : ・・・・トンネル効果ダイオード[2]
  • H01L 29/885 : ・・・・・エサキダイオード[6]
  • H01L 29/92 : ・・・電位障壁 表面障壁を有するコンデンサー[2]
  • H01L 29/93 : ・・・・可変容量ダイオード,例.バラクタ[2]
  • H01L 29/94 : ・・・・金属―絶縁体―半導体,例.MOS[2]
  • H01L 29/96 : ・・29/68,29/82,29/84, 29/86のグループの2つ以上に包含される型のもの[2]

H01L 31/00 : 赤外線,可視光,短波長の電磁波, 粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置 それらの細部[2,6,8]

  • H01L 31/00 : 赤外線,可視光,短波長の電磁波, 粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置 それらの細部[2,6,8]
  • H01L 31/02 : ・細部[2](18)
  • H01L 31/203 : ・・容器 封緘[5]
  • H01L 31/216 : ・・被覆[5]
  • H01L 31/224 : ・・電極[5]
  • H01L 31/232 : ・・装置と結合した光学素子 光学装置[5]
  • H01L 31/236 : ・・特別の表面構造[5]
  • H01L 31/24 : ・・冷却,加熱,換気 温度補償用装置[5]
  • H01L 31/248 : ・半導体本体に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/256 : ・・材料に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/264 : ・・・無機物材料[5]
  • H01L 31/272 : ・・・・セレン テルル[5]
  • H01L 31/28 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,周期律表の第IV族の元素のみを含むもの[5]
  • H01L 31/288 : ・・・・・ドーピング材料に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/296 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,A↓I↓IB↓I↓V化合物,例.CdS,ZnS,HgCdTe,のみを含むもの[5]
  • H01L 31/304 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,A↓I↓I↓IB↓V化合物のみを含むもの[5]
  • H01L 31/312 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,A↓I↓VB↓I↓V化合物,例.SiC,のみを含むもの[5]
  • H01L 31/32 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,グループ31/0272〜31/0312に分類されない化合物のみを含むもの[5]
  • H01L 31/328 : ・・・・ドーピング材料 他の不純物は別として,グループ31/0272〜31/032の2つ以上に分類される半導体材料を含むもの[5]
  • H01L 31/336 : ・・・・・異なる半導体領域におけるもの,例.Cu↓2X/CdXヘテロ接合,Xは周期律表の第VI族の元素である[5]
  • H01L 31/352 : ・・半導体本体の形状に 半導体領域の形状,相対的大きさ 配列に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/36 : ・・それらの結晶構造 結晶面の特定の方向に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/368 : ・・・多結晶の半導体を含むもの[5]
  • H01L 31/376 : ・・・アモルファス半導体を含むもの[5]
  • H01L 31/384 : ・・・他の非単結晶材料を含むもの,例.絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子[5]
  • H01L 31/392 : ・・・金属 絶縁基板に堆積させた薄膜を含むもの[5]
  • H01L 31/04 : ・変換装置として使用されるもの[2](69)
  • H01L 31/42 : ・・光電池のパネル 配列を含むもの,例.太陽電池[5]
  • H01L 31/45 : ・・・折りたたみ 折り重ね可能なもの[5]
  • H01L 31/48 : ・・・封緘されたもの 容器を有するもの[5]
  • H01L 31/05 : ・・・固有の相互接続に特徴のあるもの[5](2)
  • H01L 31/52 : ・・・冷却,光反射 光集中手段を有するもの[5]
  • H01L 31/55 : ・・・・光が吸収され,かつ集光装置により異なる波長で再放射されるもの,例.ルミネッセンス材料を用いることによるもの[5]
  • H01L 31/58 : ・・・熱エネルギーを利用する手段を含むもの,例.ハイブリッドシステム, 電気エネルギーの補充源[5]
  • H01L 31/06 : ・・少なくとも1つの電位障壁 表面障壁に特徴のあるもの[2]
  • H01L 31/62 : ・・・電位障壁が金属―絶縁体―半導体型のみからなるもの[5]
  • H01L 31/65 : ・・・電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの[5]
  • H01L 31/68 : ・・・電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの[5]
  • H01L 31/07 : ・・・電位障壁がショットキー型のみからなるもの[5]
  • H01L 31/72 : ・・・電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの[5]
  • H01L 31/75 : ・・・電位障壁がPIN型のみからなるもの[5]
  • H01L 31/78 : ・・・グループ31/062〜31/075の2つ以上に分類される電位障壁を含むもの[5]
  • H01L 31/08 : ・輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器[2]
  • H01L 31/09 : ・・赤外線,可視光線 紫外線の放射に感応する装置[5]
  • H01L 31/10 : ・・少なくとも1つの電位障壁 表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ[2](5)
  • H01L 31/101 : ・・・赤外線,可視光線 紫外線の放射に感応する装置[5]
  • H01L 31/102 : ・・・・唯一の電位障壁 表面障壁に特徴のあるもの[5]
  • H01L 31/103 : ・・・・・電位障壁がPNホモ接合型からなるもの[5]
  • H01L 31/105 : ・・・・・電位障壁がPIN型からなるもの[5]
  • H01L 31/107 : ・・・・・電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード[5]
  • H01L 31/108 : ・・・・・電位障壁がショットキー型であるもの[5]
  • H01L 31/109 : ・・・・・電位障壁がPNヘテロ接合型であるもの[5]
  • H01L 31/11 : ・・・・2つの電位障壁 表面障壁に特徴のあるもの,例.バイポーラフォトトランジスタ[5]
  • H01L 31/111 : ・・・・すくなくとも3つの電位障壁に特徴のあるもの,例.フォトサイリスタ[5]
  • H01L 31/112 : ・・・・電界効果作用に特徴のあるもの,例.接合型電界効果フォトランジスタ[5]
  • H01L 31/113 : ・・・・・導体―絶縁体―半導体型であるもの,例.金属―絶縁体―半導体電界効果トランジスタ[5]
  • H01L 31/115 : ・・・超短波,例.X線,ガンマ線 粒子放射,に感応する装置[5]
  • H01L 31/117 : ・・・・バルク効果放射検知器型のもの,例.ゲルマニウム―リチウム補償PINガンマ線検知器[5]
  • H01L 31/118 : ・・・・表面障壁 薄いPN接合検知器型のもの,例.表面障壁アルファ粒子検知器[5]
  • H01L 31/119 : ・・・・電界効果作用に特徴のあるもの,例.MIS型検知器[5]
  • H01L 31/12 : ・1つ以上の電気光源,例.エレクトロルミネッセンス光源,と構造的に結合されたもの,例.1つの共通基板内 上に形成されたもの,およびその電気光源と電気的 光学的に結合されたもの[2,5](8)
  • H01L 31/14 : ・・輻射線に感応する半導体装置によって制御される光源,例.像変換器,像増幅器,像蓄積装置[2]
  • H01L 31/147 : ・・・光源および放射に感応する装置すべてが少なくとも1つの電位障壁 表面障壁に特徴のある半導体装置であるもの[5]
  • H01L 31/153 : ・・・・1つの共通基板内 上に形成されたもの[5]
  • H01L 31/16 : ・・光源によって制御される輻射線に感応する半導体装置[2]
  • H01L 31/167 : ・・・光源および放射に感応する装置すべてが少なくとも1つの電位障壁 表面障壁に特徴のある半導体装置であるもの[5]
  • H01L 31/173 : ・・・・1つの共通基板内 上に形成されたもの[5]
  • H01L 31/18 : ・これらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2](3)
  • H01L 31/20 : ・・このような装置 それらの部品がアモルファス半導体材料からなるもの[5]

H01L 33/00 : 光,例,赤外光,の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有する半導体装置 それらの装置 その部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法 装置 それらの装置の細部[2,8]

H01L 35/00 : 異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴い 伴わないゼーベック ペルチェ効果を示すもの それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置 それらの装置の細部[2]

H01L 37/00 : 異種材料の接合を持たない熱電装置 熱磁気装置,例.ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]

  • H01L 37/00 : 異種材料の接合を持たない熱電装置 熱磁気装置,例.ネルンスト・エッチングハウゼン効果を利用するもの それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]
  • H01L 37/02 : ・誘電率の温度変化を利用するもの,例.キューリー温度の上下で作動するもの[2]
  • H01L 37/04 : ・透磁率の温度変化を利用するもの,例.キューリー温度の上下で作動するもの[2]

H01L 39/00 : 超電導性 ハイパーコンダクティビティを利用する装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2,4]

  • H01L 39/00 : 超電導性 ハイパーコンダクティビティを利用する装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2,4](2)
  • H01L 39/02 : ・細部[2]
  • H01L 39/04 : ・・容器 マウント[2]
  • H01L 39/06 : ・・電流路に特徴のあるもの[2]
  • H01L 39/08 : ・・素子の形に特徴のあるもの[2]
  • H01L 39/10 : ・・切換手段に特徴のあるもの[2]
  • H01L 39/12 : ・・材料に特徴のあるもの[2]
  • H01L 39/14 : ・永久超電導装置[2]
  • H01L 39/16 : ・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置[2]
  • H01L 39/18 : ・・クライオトロン[2]
  • H01L 39/20 : ・・・電力用クライオトロン[2]
  • H01L 39/22 : ・異種材料の接合からなる装置,例.ジョセフソン効果装置[2]
  • H01L 39/24 : ・39/00に分類されている装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]

H01L 41/00 : 圧電素子一般 電歪素子一般 磁歪素子一般 それらの素子 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置 それらの素子の細部[2]

H01L 43/00 : 電流磁気効果 これに類似な磁気効果を利用した装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]

  • H01L 43/00 : 電流磁気効果 これに類似な磁気効果を利用した装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]
  • H01L 43/02 : ・細部[2]
  • H01L 43/04 : ・・ホール効果装置のもの[2]
  • H01L 43/06 : ・ホール効果装置[2]
  • H01L 43/08 : ・磁界制御抵抗[2](1)
  • H01L 43/10 : ・材料の選択[2]
  • H01L 43/12 : ・これらの装置 それらの部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]
  • H01L 43/14 : ・・ホール効果装置用[2]

H01L 45/00 : 電位障壁 表面障壁をもたず,整流,増幅,発振 スイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子 オブシンスキー効果装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]

  • H01L 45/00 : 電位障壁 表面障壁をもたず,整流,増幅,発振 スイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子 オブシンスキー効果装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]
  • H01L 45/02 : ・固体進行波装置[2]

H01L 47/00 : バルク負性抵抗効果装置,例.ガン効果装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]

  • H01L 47/00 : バルク負性抵抗効果装置,例.ガン効果装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2]
  • H01L 47/02 : ・ガン効果装置[2]

H01L 49/00 : 27/00〜47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2,8]

  • H01L 49/00 : 27/00〜47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置 それらの装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[2,8]
  • H01L 49/02 : ・薄膜 厚膜装置[2]

H01L 51/00 : 能動部分として有機材料を用い, 能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置 このような装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[6,8]

  • H01L 51/00 : 能動部分として有機材料を用い, 能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置 このような装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[6,8]
  • H01L 51/05 : ・整流,増幅,発振 スイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有するもの 少なくとも1つの電位障壁 表面障壁を有するコンデンサー 抵抗器[8]
  • H01L 51/10 : ・・装置の細部[6]
  • H01L 51/30 : ・・材料の選択[6]
  • H01L 51/40 : ・・このような装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[6,8]
  • H01L 51/42 : ・赤外線,可視光,短波長の電磁波, 粒子線輻射に感応に特に適用されるもの 輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか, これらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの[8]
  • H01L 51/44 : ・・装置の細部[8](3)
  • H01L 51/46 : ・・材料の選択[8](2)
  • H01L 51/48 : ・・このような装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[8]
  • H01L 51/50 : ・光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード[8](30)
  • H01L 51/52 : ・・装置の細部[8]
  • H01L 51/54 : ・・材料の選択[8]
  • H01L 51/56 : ・・このような装置 その部品の製造 処理に特に適用される方法 装置[8]